Академику Николаю Александровичу Ратахину – 75
Сегодня, 24 декабря, исполняется 75 лет академику РАН Николаю Александровичу Ратахину. Его жизнь неразрывно связана с Томским академгородком, куда он приехал в 1973 году из Новосибирска. Делом жизни ученого стала физика экстремальных состояний вещества – методы компрессии электрической энергии и ее преобразование в мощные потоки заряженных частиц и рентгеновское излучение. Полученные им результаты позволяют создавать уникальные сверхмощные многоцелевые импульсные генераторы.
Николай Александрович родился в селе Ново-Троицк Тулунского района Иркутской области 24 декабря 1950 года. После окончания школы с медалью поступил на физический факультет Новосибирского государственного университета.
После окончания вуза молодой специалист, решивший посвятить себя физике плазмы, недолго проработал в Институте ядерной физики, а затем в 1973 году по приглашению будущего академика и создателя Института сильноточной электроники Геннадия Андреевича Месяца переехал в Томск. Основными направлениями исследований Н.А. Ратахина стали физика экстремальных состояний вещества и импульсная энергетика, а также создание уникальных сверхмощных установок. Под руководством ученого разработаны оригинальные наносекундные мегаамперные установки тераваттного диапазона мощности СНОП-3, МИГ, СГМ, по ряду параметров не имеющие аналогов в мире.
Коллективом Н.А. Ратахина было показано, что мощность в импульсах мягкого рентгеновского излучения Z-пинчей может превышать выходную электрическую мощность используемого генератора. Разработан источник точечного тормозного рентгеновского излучения с рекордными параметрами на основе плазмонаполненного стержневого диода. Созданы источники импульсного тормозного излучения с большой облучаемой площадью. Продемонстрирована высокая эффективность генерирования вспышек рентгеновского излучения с помощью планарных лайнеров и потоков нейтронов с помощью Z-пинчей.
В течение 14 лет, с 2006 по 2020 год, Н.А. Ратахин являлся директором Института сильноточной электроники СО РАН. За этот период в институте получен ряд крупных научных результатов мирового уровня.
Важной вехой стало участие томских ученых в работах, имеющих большое значение для запуска СКИФ (Сибирского кольцевого источника фотонов). Под научным руководством академика Н.А. Ратахина успешно реализован проект «In situ методы синхротронных исследований многослойных функциональных структур с уникальными параметрами и свойствами, созданных пучково-плазменной инженерией поверхности». В настоящее время в ИСЭ СО РАН разрабатываются станции для СКИФа и методы работы с источниками синхротронного излучения.
Поздравляем юбиляра и желаем ему реализации замыслов и планов, новых прорывных научных результатов, успехов и благополучия, счастья и здоровья!
© Пресс-служба ТНЦ СО РАН
